-2- c) Bincangkan mengapa pemprosesan wafer perlu dijalankan di dalam persekitaran bilik bersih. [30 markah]

Size: px

Start display at page:

Download "-2- c) Bincangkan mengapa pemprosesan wafer perlu dijalankan di dalam persekitaran bilik bersih. [30 markah]"

Emma Francis
6 years ago
Views:

1 -2- Soalan 1 a) Senaraikan lima (5) bahan yang dilarang untuk dibawa masuk ke dalam bilik bersih. Senaraikan dan bincangkan spesifikasi asas bagi suatu bilik bersih b) Huraikan dengan terperinci langkah-langkah gowning dan de-gowning untuk masuk serta keluar dari bilik bersih. Sertakan bersama carta alir bagi setiap langkah-langkah tersebut dalam penerangan anda. [40 markah] c) Bincangkan mengapa pemprosesan wafer perlu dijalankan di dalam persekitaran bilik bersih. Question 1 a) List five (5) materials that are prohibited to be brought into a cleanroom. List and discuss the basic specifications of a cleanroom b) Describe in detail the gowning and de-gowning procedures prior to entering and exiting a cleanroom. Include a flow chart of the procedures in your explanation. [40 marks] c) Discuss why wafer processing has to be done in a cleanroom environment.

2 -3- Soalan 2 a) Silikon dioksida (SiO 2 ) boleh dihasilkan sama ada melalui proses pengoksidaan kering atau proses pengoksidaan basah. Terangkan perbezaan antara kedua-dua proses ini. Penerangan anda perlu merangkumi perbincangan dari segi tindakbalas kimia bagi kedua-dua proses tersebut. b) Jelaskan bagaimana proses pengoksidaan basah dapat dijalankan dalam kadar yang lebih tinggi berbanding proses pengoksidaan kering. Nyatakan apakah langkah yang terbaik untuk menumbuhkan SiO 2 pada ketebalan 150 Ǻ dan terangkan mengapa? c) Berikan tiga sebab relau menegak mempunyai kelebihan berbanding relau mendatar bagi penumbuhan oksida terma. Bincangkan juga kemungkinan kelemahannya. Question 2 a) Silicon dioxide (SiO 2 ) can be produced thermally by dry or wet oxidation processes. Explain the difference between these two processes. Your explanation should also include the discussion on the chemical reactions for both processes. b) Explain, why wet oxidation process proceeds at a faster rate than dry oxidation process. What is the best method to grow SiO 2 at the thickness of 150 Ǻ and explain why? c) Give three reasons why vertical furnaces have advantages over horizontal furnaces for growing thermal oxides. Discuss also the possible disadvantages.

3 -4- Soalan 3 a) Lakarkan keratan rentas gambarajah skematik bagi struktur tipikal peranti NMOS dan PMOS. Labelkan gambarajah anda. b) Jelaskan kedua-dua proses pensuisan bagi NMOS dan PMOS, dan bagaimana proses ini digabungkan di dalam litar komplimentari MOS (CMOS) c) Bincangkan bagaimana kapasitor berparasit terjadi? Apakah langkah-langkah yang boleh diambil untuk mengatasi kesan yang tidak diingini dari kapasitor berparasit? Question 3 a) Sketch the schematic cross section diagrams of a typical NMOS and PMOS device structures. Labeled the diagram appropriately. b) Explain the switching processes of both NMOS and PMOS, and how these processes are incorporated in a complimentary MOS (CMOS) circuit. c) Discuss how a parasite capacitor can be formed? What area the steps that can be taken to overcome the unwanted effect of such parasite capacitor?

4 -5- Soalan 4 a) Bincangkan proses-proses yang terlibat dalam menghasilkan Silikon Gred Elektronik (EGS)? b) Apakah bahan punar yang biasa digunakan dalam proses punaran basah untuk menyingkirkan Si, SiO 2 dan SiN 4? Huraikan tindak balas kimia yang berlaku dalam ketiga-tiga proses punaran kimia basah. c) Huraikan proses punaran ion reaktif. Huraian anda perlu ada satu gambarajah skematik bagi menjelaskan setiap mekanisma punaran yang terlibat. Question 4 a) Discuss all the processes involved in producing Electronic Grade Silicon. b) What are the typical etchants used in wet etching process to remove Si, SiO 2 and Si 3 N 4? Describe the chemical reactions taken place in all three wet chemical etching processes. c) Describe the reactive ion etching process. Your discussion should include a schematic diagram to illustrate the etch mechanisms involved.

5 -6- Soalan 5 a) Senaraikan empat komponen fotorintang dan terangkan setiap satu fungsinya. b) Senaraikan tiga langkah rawatan terma dalam litografi foto dan terangkan setiap satu fungsinya. c) Mengapakah litografi foto optik tidak dapat digunakan dalam proses pencorakan peranti nano? Senaraikan dan bincangkan secara ringkas dua teknologi alternatif yang dapat menggantikan litografi foto di masa hadapan. Question 5 a) List the four components of the photoresist and explain their functions. b) List the three thermal treatment steps in photolithography and explain their functions. c) Why optical photolithography cannot be used for nanodevice patterning process? List and discuss briefly two alternative lithography technologies that might replace photolithography in the near future.

6 -7- Soalan 6 a) Takrifkan step coverage (yang berkenaan dengan penambahan filem nipis ke atas permukaan wafer). Apakah masalah-masalah yang berkait dengan ketidaksempurnaan step coverage? Bincangkan cara- cara yang dapat digunakan untuk mengelakkan dari berlakunya masalah-masalah ini. b) Senaraikan lima kegunaan filem nipis dielektrik. Bincangkan fungsi bahan dop boron dan fosforus dalam filem nipis dielektrik kaca silikat. c) Bincangkan kesan-kesan akibat junction spiking dan elektromigrasi sentuhan logam di dalam peranti. Apakah langkah-langkah yang boleh diambil untuk menyingkirkan atau mengurangkan kesan yang tidak diingini ini? Question 6 a) Define step coverage (with respect to the deposition of thin film on a wafer surface). What are the problems associated with an imperfect step coverage? Discuss also methods that can be used to prevent such problems. b) List five applications of the dielectric thin film. Discuss the function of the dopants boron and phosphorous as dopants in the silicate glass dielectric thin film. c) Discuss the effects of junction spiking and electromigration of metal contacts in a device. What are the steps that can be taken to eliminate or minimize such unwanted effects? -ooooo-

UNIVERSITI SAINS MALAYSIA. Peperiksaan Semester Pertama Sidang Akademik 2003/2004. September/Oktober 2003

UNIVERSITI SAINS MALAYSIA. Peperiksaan Semester Pertama Sidang Akademik 2003/2004. September/Oktober 2003 UNIVERSITI SAINS MALAYSIA Peperiksaan Semester Pertama Sidang Akademik 2003/2004 September/Oktober 2003 EEE 348E - PENGANTAR REKABENTUK LITAR BERSEPADU Masa: 3jam ARAHAN KEPADA CALON: Sila pastikan bahawa